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KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380 用於鋁表面濺射沉積 ZrN 薄膜
河北某大學研究室為了研究磁控濺射時間和氮氣流量對 ZrN 薄膜色度的影響, 採用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380 輔助在鋁表面濺射沉積 ZrN 薄膜
KRI 射頻離子源 RFICP380 技術參數:
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射頻離子源型號 |
RFICP380 |
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Discharge 陽極 |
射頻 RFICP |
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離子束流 |
>1500 mA |
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離子動能 |
100-1200 V |
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柵極直徑 |
30 cm Φ |
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離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
15-50 sccm |
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通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型壓力 |
< 0.5m Torr |
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長度 |
39 cm |
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直徑 |
59 cm |
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中和器 |
LFN 2000 |
KRI 離子源的獨特功能實現了更好的性能, 增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術的情況下是無法實現的.
試驗結論:
隨著磁控濺射時間的增長, 薄膜的亮度在減少, 黃藍值在 3 min時出現最大值, 說明鍍膜時間在 3 min 時最接近黃色, 紅綠值波動比較大; 而氮氣流量在 13~18 sccm 內, 薄膜顏色呈金黃色.
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