KRI 射頻離子源 RFICP 系列
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KRI 射頻離子源 RFICP 系列

KRI 射頻離子源 RFICP 系列
伯東公司美國 KRI 射頻離子源 RFICP 系列, 無需燈絲提供高能量, 低濃度的離子束, 通過柵極控制離子束的能量和方向, 單次工藝時間更長! 射頻源 RFICP  系列提供完整的套裝, 套裝包含離子源本體, 電子供應器, 中和器, 自動控制器等. 射頻離子源適合多層膜的製備, 離子濺鍍鍍膜和離子蝕刻, 有效改善靶材的緻密性, 光透射, 均勻性, 附著力等.
KRI 射頻離子源 RFICP

射頻離子源 RFICP 系列技術參數:

型號

RFICP 40

RFICP 100

RFICP 140

RFICP 220

RFICP 380

Discharge 陽極

RF 射頻

RF 射頻

RF 射頻

RF 射頻

RF 射頻

離子束流

>100 mA

>350 mA

>600 mA

>800 mA

>1500 mA

離子動能

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

柵極直徑

4 cm Φ

10 cm Φ

14 cm Φ

20 cm Φ

30 cm Φ

離子束

聚焦, 平行, 散射

 

流量

3-10 sccm

5-30 sccm

5-30 sccm

10-40 sccm

15-50 sccm

通氣

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型壓力

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

長度

12.7 cm

23.5 cm

24.6 cm

30 cm

39 cm

直徑

13.5 cm

19.1 cm

24.6 cm

41 cm

59 cm

中和器

LFN 2000


伯東公司 KRI 射頻離子源 RFICP 應用:
離子輔助鍍膜 IBAD ( Ion beam assisted deposition in thermal & e-beam evaporation )
離子清洗 PC (In-situ preclean in sputtering & evaporation )
表面改性, 啟動 SM (Surface modification and activation )
離子蝕刻 IBE (Ion beam etching of surface features in any material)
離子濺鍍 IBSD (Ion beam sputter deposition of single and multilayer structures)
射頻離子源 RFICP

若您需要進一步的瞭解 KRI 射頻離子源, 請參考以下聯絡方式
上海伯東: 葉小姐                                  臺灣伯東: 王小姐
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