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KRI Ion Source RFICP 200 HO, Gridded RF Ion Source
KRI Ion Source RFICP 200 HO 是一款大型的有柵極離子源，能夠產生高密度的離子束，特別是在 1000 eV 或稍低的能量下獲得極高密度的離子束，因此合適於像離子輔助沉積和離子束刻蝕這樣的低能量的工藝。因為尺寸的大型化，使它更適用於較大覆蓋區域和較高均勻性的要求，因此廣泛應用在大型離子輔助的盒式鍍膜機和較大尺寸 wafer 的離子刻蝕系統。
KRI Ion Source 有柵極離子源RFICP 200 HO, Gridded RF Ion Source產品規格
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Model |
RFICP 200 HO |
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Discharge |
RF inductive |
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Filamentless |
Yes |
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RF power |
>1 kW |
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Ion optics |
OptiBeamTM |
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Grids |
Application specific |
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Alignment |
Self-aligned |
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Neutralizer |
Yes (options) |
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Power controller |
RFICP ion Power Pack |
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Options |
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Beam Shape |
Collimated, convergent, divergent |
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Water cooled |
Yes |