射頻離子源 RFICP 140
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射頻離子源 RFICP 140

KRI 射頻離子源 RFICP 140
伯東公司美國原裝進口 KRI 射頻離子源 RFICP 140 是一款緊湊的有柵極離子源, 非常適用於離子束濺射沉積, 離子輔助沉積和離子束刻蝕. 在離子束濺射工藝中,射頻離子源 RFICP 140 配有離子光學元件, 可以很好的控制離子束去濺射靶材, 實現完美的薄膜特性. 同樣的在離子束輔助沉積和離子束刻蝕工藝中, 最佳的離子光學元件能夠完成發散和聚集離子束的任務. 就標準的型號而言, 可以在離子能量為 100~1000 eV 範圍內獲得很高的離子密度.

KRI 射頻離子源 RFICP 140 技術參數:

型號

RFICP 140

Discharge 陽極

RF 射頻

離子束流

>600 mA

離子動能

100-1200 V

柵極直徑

14 cm Φ

離子束

聚焦, 平行, 散射

流量

5-30 sccm

通氣

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型壓力

< 0.5m Torr

長度

24.6 cm

直徑

24.6 cm

中和器

LFN 2000


KRI 射頻離子源 RFICP 140 應用領域:
預清洗
表面改性
輔助鍍膜(光學鍍膜)IBAD,
濺鍍和蒸發鍍膜 PC
離子濺射沉積和多層結構 IBSD
離子蝕刻 IBE

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