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伯東公司日本原裝設計製造離子蝕刻機 IBE. 提供微米級刻蝕, 均勻性: ≤±5%, 滿足所有材料的刻蝕, 即使對磁性材料, 黃金 Au, 鉑 Pt, 合金等金屬及複合半導體材料, 這些難刻蝕的材料也能提供蝕刻. 可用於反應離子刻蝕 RIE 不能很好刻蝕的材料. 自 1970年至今, 伯東公司已累計交付約 500套離子刻蝕機.
伯東公司超過 50年的刻蝕 IBE 市場經驗, 擁有龐大的安裝基礎和經過市場驗證的刻蝕技術!

            離子刻蝕機 4IBE                離子刻蝕機 20IBE          全自動蝕刻機 MEL 3100

離子蝕刻機 IBE 主要型號
伯東提供用於研究分析的小尺寸離子刻蝕機, 用於生產製造的大尺寸離子蝕刻機以及全自動蝕刻機.
配置美國 KRI 考夫曼離子源和德國 Pfeiffer 分子泵.

型號	4 IBE	7.5 IBE	16 IBE	20 IBE-C	MEL 3100
樣品數量尺寸	4”φ, 1片	4”φ, 1片	6”φ, 1片	4”φ, 6片 6”φ, 4片	3”φ-6”φ,1片
離子束入射角度	0～± 90	0～± 90	0～± 90	0～± 90	-
考夫曼離子源	KDC 40	KDC 75	KDC 160	考夫曼型	-
極限真空度 Pa	≦1x10-4	≦1x10-4	≦1x10-4	≦1x10-4	≦8x10-5
Pfeiffer 分子泵抽速 l/s	350	350	1250	1250	-
均勻性	≤±5%	≤±5%	≤±5%	≤±5%	≤±5%

離子蝕刻機特性:
1. 採用美國 KRI 考夫曼型離子源, 保障蝕刻速率和均勻性
2. 幹式制程, 物理蝕刻的特性
3. 蝕刻可以根據需要做垂直, 斜面等等加工形狀.
4. 基板直接加裝在直接冷卻裝置上, 所以可以在低溫環境下蝕刻.
5. 配置公轉自轉傳輸機構 ”Dry Chuck Planet ”, 使得樣品可以得到比較均勻平滑的表面.

通 Ar 時, 對各種材料的刻蝕速率

NS 離子刻蝕機 20IBE-J 視頻

離子刻蝕機 3-4inch 20IBE 視頻

離子蝕刻機應用
薄膜磁頭 Thin film Magnetic Head,   自旋電子學 Spintronics,  MR Sencer
微電子機械系統 MEMS Micro-electromechanical Systems
射頻設備 RF Devices, 光學元件 Optical Component, 超導電性 Super Conductivity


Hakuto 日本原裝設計製造離子刻蝕機 IBE, 提供微米級刻蝕, 滿足所有材料的刻蝕, 即使對磁性材料,黃金 Au, 鉑 Pt, 合金等金屬及複合半導體材料, 這些難刻蝕的材料也能提供蝕刻. 可用於反應離子刻蝕 RIE 不能很好刻蝕的材料. 自 1970年至今, Hakuto 伯東已累計交付約 500套離子蝕刻機. 蝕刻機可配置德國 Pfeiffer 渦輪分子泵和美國 KRI 考夫曼離子源!

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上海伯東: 葉小姐                                   臺灣伯東: 王小姐 

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