霍爾離子源 eH 2000瀏覽數: 5387
KRI 霍爾離子源 eH 2000
伯東公司代理美國原裝進口 KRI 霍爾離子源 eH 2000 是一款更強大的版本, 帶有水冷方式, 他具備 eH 1000 所有的性能, 低成本設計提供高離子電流, 特別適合大中型真空系統. 通常應用於離子輔助鍍膜, 預清洗和低能量離子蝕刻.
尺寸: 直徑= 5.7“ 高= 5.5”
放電電壓 / 電流: 50-300V / 10A 或 15A
操作氣體: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有機前體
KRI 霍爾離子源 eH 2000 特性
• 水冷 - 與 eh 1000 對比, 提供更高的離子輸出電流
• 可拆卸陽極組件 - 易於維護; 維護時, 最大限度地減少停機時間; 隨插即用備用陽極
• 寬波束高放電電流 - 高電流密度; 均勻的蝕刻率; 刻蝕效率高; 高離子輔助鍍膜 IAD 效率
• 多用途 - 適用于 Load lock / 超高真空系統; 安裝方便
• 高效的等離子轉換和穩定的功率控制
KRI 霍爾離子源 eH 2000 技術參數
|
型號 |
eH 2000 / eH 2000L / eH 2000x02/ eH 2000 LEHO |
|
供電 |
DC magnetic confinement |
|
- 電壓 |
40-300V VDC |
|
- 離子源直徑 |
~ 5 cm |
|
- 陽極結構 |
模組化 |
|
電源控制 |
eHx-30010A |
|
配置 |
- |
|
- 陰極中和器 |
Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode |
|
- 離子束髮散角度 |
> 45° (hwhm) |
|
- 陽極 |
標準或 Grooved |
|
- 水冷 |
前板水冷 |
|
- 底座 |
移動或快接法蘭 |
|
- 高度 |
4.0' |
|
- 直徑 |
5.7' |
|
- 加工材料 |
金屬 |
|
- 工藝氣體 |
Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors |
|
- 安裝距離 |
16-45” |
|
- 自動控制 |
控制4種氣體 |
* 可選: 可調角度的支架; Sidewinder
KRI 霍爾離子源 eH2000 應用領域
• 離子輔助鍍膜 IAD
• 預清洗 Load lock preclean
• 預清洗 In-situ preclean
• Direct Deposition
• Surface Modification
• Low-energy etching
• III-V Semiconductors
• Polymer Substrates
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源 Gridded 和霍爾離子源 Gridless. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項專利. 離子源廣泛用於離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射沉積 IBSD 領域, 伯東公司是美國考夫曼離子源 (離子槍) 中國總代理.
若您需要進一步的瞭解詳細資訊或討論, 請參考以下聯絡方式：
上海伯東: 葉小姐 臺灣伯東: 王小姐
T: +86-21-5046-3511 ext 107 T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490 F: +886-3-567-0049
M: +86 1391-883-7267 (微信同號) M: +886-975-571-910
qq: 2821409400
www.hakuto-vacuum.cn www.hakuto-vacuum.com.tw
現部分品牌誠招合作代理商, 有意向者歡迎聯絡上海伯東 葉小姐 1391-883-7267
伯東公司版權所有, 翻拷必究！
E-mail contact
+886-2-8772-8910