KRI 射頻離子源 RFICP

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項專利. 離子源廣泛用於離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 伯東公司是美國考夫曼離子源大中華地區總代理.
KRI 考夫曼離子源
            霍爾離子源                               射頻離子源                        考夫曼離子源                                   自動控制器  

KRI 射頻離子源 RFICP 系列

射頻離子源, 提供高能量, 低濃度的離子束, 單次工藝時間更長, 適合多層膜的製備和離子濺鍍鍍膜

型號

RFICP 40

RFICP 100

RFICP 140

RFICP 220

RFICP 380

離子束流

>100 mA

>350 mA

>600 mA

>800 mA

>1500 mA

離子動能

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

柵極直徑

4 cm Φ

10 cm Φ

14 cm Φ

20 cm Φ

30 cm Φ

離子束

聚焦, 平行, 散射

射頻離子源 RFICP 40

KRI 射頻離子源 RFICP 40, 尺寸小, 低成本高效離子源. 適用于集成在小型的真空腔體內

射頻離子源 RFICP 100

KRI 射頻離子源 RFICP 100 緊湊設計, 適用於離子濺鍍和離子蝕刻. 小尺寸設計但是可以輸出 >400 mA 離子流

射頻離子源 RFICP 140

KRI 射頻離子源 RFICP 140 是一款緊湊的有柵極離子源, 非常適用於離子束濺射沉積

射頻離子源 RFICP 220

KRI 射頻離子源 RFICP 220 高能量柵極離子源, 適用於離子濺鍍, 離子沉積和離子蝕刻

射頻離子源 RFICP 380

KRI 大面積射頻離子源 RFICP 380, 離子束流 >1500 mA, 離子動能 100-1200 V

1