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離子蝕刻機 20IBE-C
伯東公司日本原裝進口適合中等規模量產使用的離子刻蝕機, 樣品台可選直接冷卻 / 間接冷卻
φ4 inch X 6片 |
基板尺寸 |
< φ3 inch X 8片 |
可選 |
樣品台 |
樣品台可選直接冷卻 / 間接冷卻0-90度旋轉 |
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離子源 |
20cm 考夫曼離子源 |
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均勻性 |
±10% for 8”Ф |
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矽片刻蝕率 |
20 nm/min |
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溫度 |
<100 |
NS 離子蝕刻機 20IBE-C 組成
伯東離子蝕刻機主要優點:
1. 乾式制程的微細加工裝置, 使得在薄膜磁頭, 半導體元件, MR sensor 等領域的開發研究及量產得以廣泛應用.
2. 物理蝕刻的特性, 無論使用什麼材料都可以用來加工, 所以各種領域都可以被廣泛應用.
3. 配置使用美國考夫曼離子源
4. 射頻角度可以任意調整, 蝕刻可以根據需要做垂直, 斜面等等加工形狀.
5. 基板直接加裝在直接冷卻裝置上, 所以可以在低溫環境下蝕刻.
6. 配置公轉自轉傳輸機構, 使得被蝕刻物可以得到比較均勻平滑的表面.
7. 機台設計使用自動化的操作流程, 所以可以有非常友好的使用生產過程.
離子刻蝕機 3-4inch 20IBE 視頻
NS 離子蝕刻機通氬氣 Ar 不同材料的蝕刻速率:
Hakuto 日本原裝設計製造離子刻蝕機 IBE, 提供微米級刻蝕, 滿足所有材料的刻蝕, 即使對磁性材料,黃金 Au, 鉑 Pt, 合金等金屬及複合半導體材料, 這些難刻蝕的材料也能提供蝕刻. 可用於反應離子刻蝕 RIE 不能很好刻蝕的材料. 自 1970年至今, Hakuto 伯東已累計交付約 500套離子蝕刻機. 蝕刻機可配置德國 Pfeiffer 渦輪分子泵和美國 KRI 考夫曼離子源!
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