霍爾離子源 eH 1000
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霍爾離子源 eH 1000

KRI 霍爾離子源 eH 1000

伯東公司代理美國原裝進口 KRI 霍爾離子源 eH 1000 高效氣體利用, 低成本設計提供高離子電流, 特別適合中型真空系統. 通常應用於離子輔助鍍膜, 預清洗和低能量離子蝕刻.
尺寸: 直徑= 5.7“ 高= 5.5”
放電電壓 / 電流: 50-300V / 10A
操作氣體: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有機前體

KRI 霍爾離子源 eH 1000 特性:
• 可拆卸陽極組件 - 易於維護; 維護時, 最大限度地減少停機時間; 隨插即用備用陽極
• 寬波束高放電電流 - 高電流密度; 均勻的蝕刻率; 刻蝕效率高; 高離子輔助鍍膜 IAD 效率
• 多用途 - 適用于 Load lock / 超高真空系統; 安裝方便; 無需水冷
• 高效的等離子轉換和穩定的功率控制

KRI 霍爾離子源 eH 1000 技術參數:

型號

eH1000 / eH1000L / eH1000x02/ eH1000LEHO

供電

DC magnetic confinement

  - 電壓

40-300V VDC

  - 離子源直徑

~ 5 cm

  - 陽極結構

模組化

電源控制

eHx-30010A

配置

-

  - 陰極中和器

Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode

  - 離子束髮散角度

> 45° (hwhm)

  - 陽極

標準或 Grooved

  - 水冷

前板水冷

  - 底座

移動或快接法蘭

  - 高度

4.0'

  - 直徑

5.7'

  - 加工材料

金屬
電介質
半導體

  - 工藝氣體

Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors

  - 安裝距離

10-36”

  - 自動控制

控制4種氣體

* 可選: 可調角度的支架; Sidewinder

KRI 霍爾離子源 eH 1000 應用領域:
• 離子輔助鍍膜 IAD
• 預清洗 Load lock preclean
• 預清洗 In-situ preclean
• Direct Deposition
• Surface Modification
• Low-energy etching
• III-V Semiconductors
• Polymer Substrates

 

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