射頻離子源 RFICP 100
瀏覽數: 180

射頻離子源 RFICP 100

KRI 射頻離子源 RFICP 100
伯東公司代理美國原裝進口 KRI 射频離子源 RFICP 100 緊湊設計, 適用於離子濺鍍和離子蝕刻. 小尺寸設計但是可以輸出 >400 mA 離子流. 射频離子源 RFICP 100 源直徑19cm 安裝在10”CF 法蘭, 在離子濺鍍時, 離子源配有離子光學元件, 可以很好的控制離子束去濺射靶材, 實現完美的薄膜特性. 在離子刻蝕工藝中, 離子源與離子光學配合, 蝕刻更均勻. 標準配置下 RFICP 100 離子能量範圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 400 mA.

KRI 射頻離子源 RFICP 100 技術參數

型號

RFICP 100

Discharge 陽極

RF 射頻

離子束流

>350 mA

離子動能

100-1200 V

柵極直徑

10 cm Φ

離子束

聚焦, 平行, 散射

流量

5-30 sccm

通氣

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型壓力

< 0.5m Torr

長度

23.5 cm

直徑

19.1 cm

中和器

LFN 2000


KRI 射頻離子源 RFICP 100 應用領域
預清洗
表面改性
輔助鍍膜(光學鍍膜) IBAD,
濺鍍和蒸發鍍膜 PC
離子濺射沉積和多層結構 IBSD
離子蝕刻 IBE

若您需要進一步的瞭解 KRI 射頻離子源, 請參考以下聯絡方式
上海伯東: 葉小姐                                  臺灣伯東: 王小姐
T: +86-21-5046-3511 ext 109             T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                          F: +886-3-567-0049
M: +86 1391-883-7267                       M: +886-939-653-958
ec@hakuto-vacuum.cn                        ec@hakuto.com.tw
伯東公司版权所有, 翻拷必究!

 

E-mail contact

+886-2-8772-8910

其他產品