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KRI 射頻離子源 RFICP 100
伯東公司代理美國原裝進口 KRI 射频離子源 RFICP 100 緊湊設計, 適用於離子濺鍍和離子蝕刻. 小尺寸設計但是可以輸出 >400 mA 離子流. 射频離子源 RFICP 100 源直徑19cm 安裝在10”CF 法蘭, 在離子濺鍍時, 離子源配有離子光學元件, 可以很好的控制離子束去濺射靶材, 實現完美的薄膜特性. 在離子刻蝕工藝中, 離子源與離子光學配合, 蝕刻更均勻. 標準配置下 RFICP 100 離子能量範圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 400 mA.
KRI 射頻離子源 RFICP 100 技術參數
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型號 |
RFICP 100 |
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Discharge 陽極 |
RF 射頻 |
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離子束流 |
>350 mA |
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離子動能 |
100-1200 V |
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柵極直徑 |
10 cm Φ |
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離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
5-30 sccm |
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通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型壓力 |
< 0.5m Torr |
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長度 |
23.5 cm |
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直徑 |
19.1 cm |
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中和器 |
LFN 2000 |
KRI 射頻離子源 RFICP 100 應用領域
預清洗
表面改性
輔助鍍膜(光學鍍膜) IBAD,
濺鍍和蒸發鍍膜 PC
離子濺射沉積和多層結構 IBSD
離子蝕刻 IBE
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