離子蝕刻機 10 IBE
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離子蝕刻機 10 IBE

離子蝕刻機 10 IBE

伯東公司日本原裝進口適合小規模量產使用和實驗室研究的離子蝕刻機, 一般通氬氣 Ar, 無污染, 內部使用美國 KRI 考夫曼離子源 KDC 40 產生轟擊離子; 終點檢出器採用 Pfeiffer 殘餘質譜監測當前氣體成分, 判斷刻蝕情況.

基板尺寸

φ4 X 1wfr

 NS 离子刻蚀机检测器可選

樣品台

直接冷卻(水冷)0-90 度旋轉

離子源

4 cm,8cm,10cm,16cm
考夫曼離子源

均勻性

±5% for 4”Ф

矽片刻蝕率

20 nm/min

溫度

<100

伯東離子蝕刻機主要優點
1. 乾式制程的微細加工裝置, 使得在薄膜磁頭, 半導體元件, MR sensor 等領域的開發研究及量產得以廣泛應用.
2. 物理蝕刻的特性, 無論使用什麼材料都可以用來加工, 所以各種領域都可以被廣泛應用.
3. 配置使用美國考夫曼離子源
4. 射頻角度可以任意調整, 蝕刻可以根據需要做垂直, 斜面等等加工形狀.
5. 基板直接加裝在直接冷卻裝置上, 所以可以在低溫環境下蝕刻.
6. 配置公轉自轉傳輸機構, 使得被蝕刻物可以得到比較均勻平滑的表面.
7. 機台設計使用自動化的操作流程, 所以可以有非常友好的使用生產過程.
離子蝕刻機 10IBE 組成:NS 离子刻蚀机

離子蝕刻機通氬氣 Ar 不同材料的蝕刻速率:
NS 离子蚀刻机

Hakuto 日本原裝設計製造離子刻蝕機 IBE, 提供微米級刻蝕, 滿足所有材料的刻蝕, 即使對磁性材料,黃金 Au, 鉑 Pt, 合金等金屬及複合半導體材料, 這些難刻蝕的材料也能提供蝕刻. 可用於反應離子刻蝕 RIE 不能很好刻蝕的材料. 自 1970年至今, Hakuto 伯東已累計交付約 500套離子蝕刻機. 蝕刻機可配置德國 Pfeiffer 渦輪分子泵和美國 KRI 考夫曼離子源!

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