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KRI 考夫曼離子源 KDC 40

伯東公司代理美國原裝進口 KRI 考夫曼離子源 KDC 40: 小型低成本直流柵極離子源. KDC 40 是 3cm 考夫曼型離子源升級款. 具有更大的柵極, 更堅固, 可以配置自對準第三層柵極. 離子源 KDC 40 適用於所有的離子工藝, 例如預清洗, 表面改性, 輔助鍍膜, 濺射鍍膜, 離子蝕刻和沉積. 離子源 KDC 40 相容惰性或活性氣體, 例如氧氣和氮氣. 標準配置下離子能量範圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 120 mA.

KRI 考夫曼離子源 KDC 40 技術參數

型號	KDC 40
供電	DC magnetic confinement
- 陰極燈絲	1
- 陽極電壓	0-100V DC
電子束	OptiBeam™
- 柵極	專用, 自對準
-柵極直徑	4 cm
中和器	燈絲
電源控制	KSC 1202
配置	-
- 陰極中和器	Filament, Sidewinder Filament  或LFN 1000
- 架構	移動或快速法蘭
- 高度	6.75'
- 直徑	3.5'
- 離子束	集中 平行 散設
-加工材料	金屬 電介質 半導體
-工藝氣體	惰性 活性 混合
-安裝距離	6-18”
- 自動控制	控制4種氣體

* 可選: 可調角度的支架

KRI 考夫曼離子源 KDC 40 應用領域
濺鍍和蒸發鍍膜 PC
輔助鍍膜(光學鍍膜)IBAD
表面改性, 啟動 SM
離子濺射沉積和多層結構 IBSD
離子蝕刻 IBE

 

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