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KRI 射頻離子源 RFICP 220
伯東公司美國原裝進口 KRI 射頻離子源 RFICP 220 高能量柵極離子源, 適用於離子濺鍍, 離子沉積和離子蝕刻. 在離子束濺射工藝中, 射頻離子源 RFICP 220 配有離子光學元件, 可以很好的控制離子束去濺射靶材, 實現完美的薄膜特性. 同樣的在離子束輔助沉積和離子束刻蝕工藝中, 最佳的離子光學元件能夠完成發散和聚集離子束的任務. 標準配置下射頻離子源 RFICP 220 離子能量範圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 800 mA.
KRI 射頻離子源 RFICP 220 技術參數:
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型號 |
RFICP 220 |
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Discharge 陽極 |
RF 射頻 |
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離子束流 |
>800 mA |
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離子動能 |
100-1200 V |
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柵極直徑 |
20 cm Φ |
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離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
10-40 sccm |
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通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型壓力 |
< 0.5m Torr |
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長度 |
30 cm |
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直徑 |
41 cm |
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中和器 |
LFN 2000 |
KRI 射頻離子源 RFICP 220 應用領域：
預清洗
表面改性
輔助鍍膜(光學鍍膜)IBAD,
濺鍍和蒸發鍍膜 PC
離子濺射沉積和多層結構 IBSD
離子蝕刻 IBE
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