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KRI 射頻離子源 RFICP 220
伯東公司美國原裝進口 KRI 射頻離子源 RFICP 220 高能量柵極離子源, 適用於離子濺鍍, 離子沉積和離子蝕刻. 在離子束濺射工藝中, 射頻離子源 RFICP 220 配有離子光學元件, 可以很好的控制離子束去濺射靶材, 實現完美的薄膜特性. 同樣的在離子束輔助沉積和離子束刻蝕工藝中, 最佳的離子光學元件能夠完成發散和聚集離子束的任務. 標準配置下射頻離子源 RFICP 220 離子能量範圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 800 mA.

KRI 射頻離子源 RFICP 220 技術參數:

型號	RFICP 220
Discharge 陽極	RF 射頻
離子束流	>800 mA
離子動能	100-1200 V
柵極直徑	20 cm Φ
離子束	聚焦, 平行, 散射
流量	10-40 sccm
通氣	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力	< 0.5m Torr
長度	30 cm
直徑	41 cm
中和器	LFN 2000

KRI 射頻離子源 RFICP 220 應用領域：
預清洗
表面改性
輔助鍍膜(光學鍍膜)IBAD,
濺鍍和蒸發鍍膜 PC
離子濺射沉積和多層結構 IBSD
離子蝕刻 IBE

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上海伯東: 葉小姐                                   臺灣伯東: 王小姐 

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