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KRI Ion Source RFICP 200, Gridded RF Ion Source
KRI Ion Source RFICP 200 是一款大型的有柵極離子源，離子能量範圍 100~1000 eV，非常適合於典型的離子束輔助沉積和離子束刻蝕。特有的大面積束源和高密度使它能夠滿足一些極端的工藝並獲得高的均勻性。因此 RFICP 200 被廣泛應用在大型離子輔助的盒式鍍膜機和較大尺寸 wafer的離子刻蝕系統。
KRI Ion Source 有柵極離子源RFICP 200 產品參數
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Model |
RFICP 200 |
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Discharge |
RF inductive |
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Filamentless |
Yes |
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RF power |
>0.5 kW |
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Ion optics |
OptiBeamTM |
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Grids |
Application specific |
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Alignment |
Self-aligned |
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Neutralizer |
Yes (options) |
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Power controller |
RFICP ion Power Pack |
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Options |
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Beam Shape |
Collimated, convergent, divergent |
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Water cooled |
Yes |