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inTEST 熱流儀用於12寸記憶體晶片 MRAM 研發測試
MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory) 是一種非易失性 (Non-Volatile) 的磁性隨機記憶體. 它擁有靜態隨機記憶體 (SRAM) 的高速讀取寫入能力, 以及動態隨機記憶體 (DRAM) 的高集成度, 而且基本上可以無限次地重複寫入. 伯東公司美國 inTEST ThermoStream 熱流儀通過快速提供高低溫測試環境, 成功應用於 12寸記憶體晶片 MRAM 研發測試！

記憶體晶片高低溫衝擊客戶案例: 某半導體公司正在合作進行 14納米先進制程工藝技術的開發, 專注于開發和製造 12寸記憶體 MRAM 技術, 目前正在建置完整的12寸晶片產能. 進過伯東推薦, 選用美國 inTEST ATS-545-M 熱流儀對封裝後的器件在 -40 °C 至 125°C 進行快速高低溫衝擊測試.

inTEST ATS-545-M 熱流儀主要技術參數

ATS-545-M 溫度範圍 °C: -75 至 + 225(50 HZ) 變溫速率: -55至 +125°C, 約 10 S 或更少                +125至 -55°C, 約 10 S 或更少 輸出氣流量: 4 至 18 scfm 溫度精度: ±1℃ 通過美國NIST 校準 溫度顯示解析度: ±0.1℃ 溫度感測器: T或K型熱電偶 防靜電設計, 不需要 LN2 或 LCO2 冷卻

與傳統高低溫測試箱對比, inTEST 熱流儀主要優勢：
1. 變溫速率更快
2. 溫控精度：±1℃
3. 即時監測待測元件真實溫度, 可隨時調整衝擊氣流溫度
4. 針對 PCB 電路板上眾多元器件中的某一單個IC(模組), 可單獨進行高低溫衝擊, 而不影響周邊其它器件
5. 對測試機平臺 load board上的 IC進行溫度迴圈 / 衝擊; 傳統高低溫箱無法針對此類測試
6. 對整塊積體電路板提供準確且快速的環境溫度

作為美國 inTEST 中國總代理, 伯東公司將做好服務保障, 助力國內企業加快前沿科技進程.

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上海伯東: 葉小姐                                   臺灣伯東: 王小姐
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