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KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 濺射沉積鋁錳合金薄膜
華北某大學實驗室採用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 輔助磁控濺射沉積的方法在釹鐵硼磁體表面製備了耐腐蝕性良好的鋁錳合金薄膜.
伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 技術參數:
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型號 |
RFICP140 |
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Discharge |
RFICP 射頻 |
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離子束流 |
>600 mA |
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離子動能 |
100-1200 V |
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柵極直徑 |
14 cm Φ |
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離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
5-30 sccm |
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通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型壓力 |
< 0.5m Torr |
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長度 |
24.6 cm |
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直徑 |
24.6 cm |
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中和器 |
LFN 2000 |
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磁控濺射是物理氣相沉積技術中一種手段比較豐富的方法, 可以通過控制調節鍍膜參數, 得到更加緻密, 均勻, 結合力出色的膜層, 而且磁控濺射屬於幹法鍍膜, 不存在電鍍化學鍍中的鍍液腐蝕基體和廢液污染問題, 從環境保護的角度來看, 磁控濺射較電鍍化學鍍更加綠色環保.
在釹鐵硼 (NdFeB) 磁體表面利用磁控濺射沉積不同錳含量的鋁錳合金薄膜. 磁控濺射製備的鋁錳合金薄膜表面光滑緻密. 薄膜結構受到錳含量的影響, 當薄膜錳含量從 6.80% 上升到 25.78% 時, 薄膜結構由晶態逐漸轉變為非晶態, 達到 35.67% 時, 薄膜中析出金屬間化合物 Al8Mn5. 鋁錳合金薄膜的耐腐蝕性能受薄膜成分變化的影響很大, 當薄膜中錳含量達到 25.78% 時, 此時薄膜呈非晶態結構, 薄膜的自腐蝕電流密度達到 1.198×10-7A/cm2, 比釹鐵硼基體降低了 2 個數量級,耐腐蝕性能最好.
KRI 離子源的獨特功能實現了更好的性能, 增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術的情況下是無法實現的.
KRI 離子源是領域公認的領導者, 已獲得許多專利. KRI 離子源已應用于許多已成為行業標準的過程中.
伯東是德國 Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質譜儀, 真空計, 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國HVA 真空閥門, 美國 inTEST 高低溫衝擊測試機, 美國 Ambrell 感應加熱設備和日本 NS 離子蝕刻機等進口知名品牌的指定代理商.
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