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KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 濺射多層沉積 Nb3Sn 超導薄膜
國內某大學採用雙 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 作為濺射源分別濺射沉積鈮和錫, 再經過高溫退火後獲得 Nb3Sn 超導薄膜. 用這種方法所獲得的超導薄膜的原子組分的調整比較方便,對於 Nb3Sn 的研究較為有利. 實驗測量了樣品的超導參數和晶格參數.
伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 技術參數:
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型號 |
RFICP140 |
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Discharge |
RFICP 射頻 |
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離子束流 |
>600 mA |
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離子動能 |
100-1200 V |
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柵極直徑 |
14 cm Φ |
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離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
5-30 sccm |
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通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型壓力 |
< 0.5m Torr |
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長度 |
24.6 cm |
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直徑 |
24.6 cm |
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中和器 |
LFN 2000 |
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Nb3Sn 超導薄膜樣品的實驗研究是在 Al2O3(Sapphire) 上進行的, 採用鈮濺射源和錫濺射源交替對樣品進行濺射沉積,其中鈮濺射源在上部, 錫濺射源在下部, 因為錫的熔點低. 退火採用電爐絲.
濺射沉積的過程是, 首先在基片上濺射沉積一層鈮附著膜, 然後以固定速度旋轉樣品固定板,使得樣品交替面對鈮濺射源和錫濺射源, 形成多層膜結構, 最後再濺射沉積一層鈮覆蓋膜.
KRI 離子源的獨特功能實現了更好的性能, 增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術的情況下是無法實現的.
KRI 離子源是領域公認的領導者, 已獲得許多專利. KRI 離子源已應用于許多已成為行業標準的過程中.
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