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KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 製備 NGZO 薄膜
上海某大學實驗室採用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 , 通入氬氣和氮氣, 在流量比分別為 25/10、25/20、25/25、25/30 ((mL/min)/(mL/min))條件下製備 NGZO 薄膜.
伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 技術參數:
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型號 |
RFICP140 |
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Discharge |
RFICP 射頻 |
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離子束流 |
>600 mA |
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離子動能 |
100-1200 V |
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柵極直徑 |
14 cm Φ |
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離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
5-30 sccm |
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通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型壓力 |
< 0.5m Torr |
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長度 |
24.6 cm |
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直徑 |
24.6 cm |
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中和器 |
LFN 2000 |
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實驗室通過 XRD 和 SEM 對薄膜的物相結構和表面形貌進行分析,通過紫外可見分光光度計和霍爾效應測試儀對薄膜透過率和載流子濃度、遷移率及薄膜電阻率進行研究.
實驗結果:
通過與未摻入 N 的 Ga 摻雜氧化鋅 (GZO) 薄膜相比, 在可見光區, 尤其是 600~800 nm 範圍內, NGZO 薄膜平均透過率在80%以上,符合透明導電薄膜透過率的要求.
在 N-Ga 共摻雜薄膜中, N 的摻雜主要佔據 O 空位, 並吸引空位周圍的電子, 這減小了薄膜晶格畸變, 並產生電子空穴, 最終使得薄膜中電子載流子濃度降低, 空穴載流子濃度增加, 電阻率有所增加.
隨著氮氣流量的變化, 發現在 25 mL/min 時, 薄膜具有最佳的綜合性能. 這種薄膜可用於紫外光探測器等需較大電阻率的應用中, 並有望實現 n-p 型轉化.
KRI 離子源的獨特功能實現了更好的性能, 增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術的情況下是無法實現的.
KRI 離子源是領域公認的領導者, 已獲得許多專利. KRI 離子源已應用于許多已成為行業標準的過程中.
伯東是德國 Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質譜儀, 真空計, 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國HVA 真空閥門, 美國 inTEST 高低溫衝擊測試機, 美國 Ambrell 感應加熱設備和日本 NS 離子蝕刻機等進口知名品牌的指定代理商.
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