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KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP220 濺射沉積 ZnNi 合金薄膜
瀋陽某大學課題組採用 伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 射頻磁控濺射沉積方法製備了不同成分的 ZnNi 合金薄膜, 並研究了真空熱處理對其成分及表面形貌的影響.
採用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 磁控濺射沉積的 ZnNi 合金薄膜, 使合金成分均勻, 使薄膜緻密, 並且附著性好.
伯東 KRI 射頻離子源 RFICP220 技術參數:
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離子源型號 |
RFICP220 |
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Discharge |
RFICP 射頻 |
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離子束流 |
>800 mA |
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離子動能 |
100-1200 V |
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柵極直徑 |
20 cm Φ |
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離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
10-40 sccm |
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通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型壓力 |
< 0.5m Torr |
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長度 |
30 cm |
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直徑 |
41 cm |
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中和器 |
LFN 2000 |
* 可選: 燈絲中和器; 可變長度的增量
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實驗室材料:
實驗採用 55mm x 3mm 的高純度鋅靶 (含量wt%>99.99) 和純鎳片 (含量wt%>99.95) 組成的鑲嵌靶. 調整鑲嵌靶 Zn 與 Ni 的面積比, 以獲得不同成分的 ZnNi 合金膜. 濺射基底採用石英玻璃片.
研究結果表明：
在單靶濺射沉積ZnNi合金薄膜中, 通過調節靶材鋅鎳面積比可以獲得不同成分且分佈均勻的ZnNi薄膜. 經過600℃、60 min、真空度為4×10-3Pa, 真空熱處理之後的薄膜中的鋅完全蒸發, 剩下的鎳薄膜呈多孔結構, 微孔尺寸在100 nm至500 nm之間. 隨著薄膜鋅含量的增加, 真空熱處理後薄膜表面孔隙率增大. 隨著真空熱處理溫度的升高, 微孔尺寸增大.
KRI 離子源的獨特功能實現了更好的性能, 增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術的情況下是無法實現的.
因此, 該研究專案才採用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 輔助濺射沉積工藝.
伯東是德國 Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質譜儀, 真空計, 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國HVA 真空閥門, 美國 inTEST 高低溫衝擊測試機, 美國 Ambrell 感應加熱設備和日本 NS 離子蝕刻機等進口知名品牌的指定代理商.
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