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伯東 KRI 考夫曼平行型射頻離子源 RFICP220 輔助 DC/DC 混合電路生產
在DC/DC混合電路生產各工藝環節中會有不希望出現的物理接觸面狀態變化、相變等, 對品質帶來不利影響, 對其生產中表面狀態的控制已成為必不可少的關鍵控制環節.
某大型工廠在生產過程中採用 KRI 考夫曼平行型射頻離子源 RFICP220 輔助 DC/DC 混合電路生產, 其主要目的是：
1. 去除處理物體表面的外來物層, 如沾汙層、氧化層等
2. 改善物體表面狀態, 提高物體表面活性, 提高物體表面能等
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伯東 KRI 射頻離子源 RFICP220 技術參數:
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離子源型號 |
RFICP220 |
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Discharge |
RFICP 射頻 |
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離子束流 |
>800 mA |
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離子動能 |
100-1200 V |
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柵極直徑 |
20 cm Φ |
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離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
10-40 sccm |
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通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型壓力 |
< 0.5m Torr |
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長度 |
30 cm |
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直徑 |
41 cm |
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中和器 |
LFN 2000 |
客戶存在的問題:
客戶的背銀晶片很容易發生銀的硫化及氧化,將直接影響晶片的貼裝品質.被硫化或氧化背銀的晶片採用導電膠粘接、氫氣燒結、再流焊貼裝均將有空洞率增大導致接觸電阻、熱阻增大和粘接強度下降等問題.
解決方案:
客戶採用 KRI 考夫曼平行型射頻離子源 RFICP220 , 氬氣作為清洗氣體, 清洗時間200~300 s, 氣體流量40 sccm, 經過 KRI 考夫曼平行型射頻離子源 RFICP220 產生的離子束清洗晶片背面
運行結果:
1. KRI 考夫曼平行型射頻離子源 RFICP220 有效去除背銀晶片硫化銀及氧化銀, 保證了晶片貼裝品質
2. 可有效提高 DC/DC 混合電路組裝品質及可靠性
伯東是德國 Pfeiffer 真空泵, 測漏儀, 質譜儀, 真空計, 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國 inTEST 高低溫衝擊測試機, 美國 Ambrell 感應加熱設備和日本 NS 離子蝕刻機等進口知名品牌的指定代理商.
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