RPICP 200
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RPICP 200


KRI Ion Source RFICP 200, Gridded RF Ion Source

KRI Ion Source RFICP 200 是一款大型的有柵極離子源,離子能量範圍 100~1000 eV,非常適合於典型的離子束輔助沉積和離子束刻蝕。特有的大面積束源和高密度使它能夠滿足一些極端的工藝並獲得高的均勻性。因此 RFICP 200 被廣泛應用在大型離子輔助的盒式鍍膜機和較大尺寸 wafer的離子刻蝕系統。

KRI Ion Source 有柵極離子源RFICP 200 產品參數

 

 

Model

RFICP 200

Discharge

RF inductive

Filamentless

Yes

RF power

>0.5 kW

Ion optics

OptiBeamTM

Grids

Application specific

Alignment

Self-aligned

Neutralizer

Yes (options)

Power controller

RFICP ion Power Pack

Options

 

Beam Shape

Collimated, convergent, divergent

Water cooled

Yes

 

 

 

 

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