RFICP 200 HO
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RFICP 200 HO


KRI Ion Source RFICP 200 HO, Gridded RF Ion Source

KRI Ion Source RFICP 200 HO 是一款大型的有柵極離子源,能夠產生高密度的離子束,特別是在 1000 eV 或稍低的能量下獲得極高密度的離子束,因此合適於像離子輔助沉積和離子束刻蝕這樣的低能量的工藝。因為尺寸的大型化,使它更適用於較大覆蓋區域和較高均勻性的要求,因此廣泛應用在大型離子輔助的盒式鍍膜機和較大尺寸 wafer 的離子刻蝕系統。

KRI Ion Source 有柵極離子源RFICP 200 HO, Gridded RF Ion Source產品規格

 

 

Model

RFICP 200 HO

Discharge

RF inductive

Filamentless

Yes

RF power

>1 kW

Ion optics

OptiBeamTM

Grids

Application specific

Alignment

Self-aligned

Neutralizer

Yes (options)

Power controller

RFICP ion Power Pack

Options

 

Beam Shape

Collimated, convergent, divergent

Water cooled

Yes

 

 

 

 

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