市場訊息

伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP 140 用於鍍制 TiN 薄膜

 

傳統磁控濺射製備工藝存在一個突出的問題, 當離子能量較低時,在濺射沉積過程中會發生 “遮蔽效應”, 會使薄膜結構疏鬆, 產生孔隙等缺陷, 這直接影響著薄膜的性能.

 

為提高製備薄膜的緻密度, 減少結構缺陷, 提高耐蝕性能, 國內某光學薄膜製造商採用伯東 KRI 考夫曼聚焦型射頻離子源 RFICP 140 用於磁控濺射鍍制 TiN 薄膜.

 

伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 140 技術參數:

型號

RFICP 140

Discharge

RFICP 射頻

離子束流

>600 mA

離子動能

100-1200 V

柵極直徑

14 cm Φ

離子束

聚焦

流量

5-30 sccm

通氣

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型壓力

< 0.5m Torr

長度

24.6 cm

直徑

24.6 cm

中和器

LFN 2000

客戶採用離子源輔助磁控濺射鍍膜技術在304不銹鋼和P型(100)晶向矽片上製備TiN納米薄膜.

 

推薦理由:

聚焦型射頻離子源一方面可以增加束流密度, 提高濺射率; 另一方面減小離子束的散射面積, 減少散射的離子濺射在靶材以外的地方引起污染

 

運行結果:

1. 通過KRI 考夫曼聚焦型射頻離子源 RFICP 140 濺射作用將優先形成的遮蔽效應, 製備的薄膜具有較高緻密度.

2. 減少結構缺陷

3. 提高耐蝕性能                                            

 

伯東是德國 Pfeiffer 真空泵,  測漏儀,  質譜儀,  真空計,  美國 KRI 考夫曼離子源,  美國 inTEST 高低溫衝擊測試機,  美國 Ambrell 感應加熱設備和日本 NS 離子蝕刻機等進口知名品牌的指定代理商.

 

 

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