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KRI 射頻離子源 RFICP 380 和 分子泵組用於濺射沉積 Cu薄膜

 

薄膜表面粗糙度與機械零件的配合性質、耐磨性、疲勞強度、接觸剛度、振動和雜訊等有重要關係, 直接決定機械產品的使用壽命和可靠性. 因此, 某薄膜製造商為了獲得優質的 Cu 薄膜, 採用伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 380 、霍爾離子源 eH 2000 和 分子泵組 Hicube 30 Eco 輔助濺射沉積 Cu 薄膜.

 

該製造商的鍍膜機設備採用雙離子束濺射沉積系統, 該設備的本底真空為 5x10-5 Pa, 濺射氣體使用 Ar 粒子, 靶材成分為 99.99% Cu, 襯底為矽片.

 

其雙離子束濺射沉積系統工作示意圖如下：

 

其中雙離子源中的一個離子源適用於濺射靶材, 另個離子源是用於基材的預清洗.

 

用於濺射的離子源採用伯東的 KRI 聚焦型射頻離子源 380,

伯東 KRI 聚焦型射頻離子源 RFICP 380 技術參數：

射頻離子源型號

RFICP 380

Discharge 陽極

射頻 RFICP

離子束流

>1500 mA

離子動能

100-1200 V

柵極直徑

30 cm Φ

離子束

聚焦

流量

15-50 sccm

通氣

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型壓力

< 0.5m Torr

長度

39 cm

直徑

59 cm

中和器

LFN 2000

 

推薦理由：

聚焦型濺射離子源一方面可以增加束流密度, 提高濺射率; 另一方面減小離子束的散射面積, 減少散射的離子濺射在靶材以外的地方引起污染

 

用於預清洗的離子源是採用伯東 KRI 霍爾離子源 Gridless eH 2000.

伯東 KRI 霍爾離子源 Gridless eH 系列在售型號及技術參數:

離子源型號

 

霍爾離子源

eH2000

Cathode/Neutralizer

F or HC

電壓

50-300V

電流

10A

散射角度

>45°

可充其他

Ar, O2, N2, H2, organic precursors, others

氣體流量

2-75sccm

高度

4.0“

直徑

5.7“

水冷

是

 

其濺射室需要沉積前本底真空抽到1×10-5Pa, 經推薦採用伯東分子泵組 Hicube 30 Eco, 其技術參數如下：

泵組型號

進氣法蘭

分子泵
型號

抽速
氮氣l/s

極限真空
 hPa

前級泵型號

前級泵
抽速 m³/h

Hicube 30 Eco

DN 40 ISO-KF

 Hipace 30

22

1X10-7

MVP 030-3

1.8

 

實際運行結果：

  1. 雙離子束濺射製備的薄膜由於其他方法生長的薄膜, 薄膜的表面平整度、厚度均勻性更好
  2. 絕對沉積角必須要避開 25°附件的位置, 這一位置的粗糙度太大, 生長出的薄膜表面的各方面性質遠低於其他位置

 

伯東是德國 Pfeiffer 真空泵,  測漏儀,  質譜儀,  真空計,  美國 KRI 考夫曼離子源,  美國 inTEST 高低溫衝擊測試機,  美國 Ambrell 感應加熱設備和日本 NS 離子蝕刻機等進口知名品牌的指定代理商.

 

若您需要進一步的瞭解詳細資訊或討論,  請參考以下聯絡方式：

上海伯東: 羅先生                               臺灣伯東: 王小姐
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