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KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP220 製備富矽 SiNx 薄膜

 

雲南某實驗室採用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220  射頻磁控濺射沉積方法在不同溫度的 Si(100)襯底和石英襯底上製備了富矽 SiNx 薄膜, 用於研究矽量子點 SiN 薄膜的光譜特性. 該實驗目的是優化含矽量子點的 SiNx 薄膜的製備參數, 在矽基光電子器件的應用方面有重要意義.
 

伯東 KRI 射頻離子源 RFICP220 技術參數:

離子源型號

RFICP220

Discharge

RFICP 射頻

離子束流

>800 mA

離子動能

100-1200 V

柵極直徑

20 cm Φ

離子束

聚焦,   平行,   散射

流量

10-40 sccm

通氣

Ar,   Kr,   Xe,   O2,   N2,   H2,   其他

典型壓力

< 0.5m Torr

長度

30 cm

直徑

41 cm

中和器

LFN 2000

* 可選: 燈絲中和器; 可變長度的增量

KRI 射频离子源 RFICP 220

 

實驗室採用 Fourier 變換紅外光譜、Raman 光譜、掠入射 X 射線衍射和光致發光光譜對退火後的薄膜樣品進行了表徵.

 

KRI 離子源的獨特功能實現了更好的性能, 增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術的情況下是無法實現的.

 

因此,  該研究專案才採用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 輔助濺射沉積工藝.

 

伯東是德國 Pfeiffer 真空泵,  檢漏儀, 質譜儀, 真空計, 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國HVA 真空閥門, 美國 inTEST 高低溫衝擊測試機, 美國 Ambrell 感應加熱設備和日本 NS 離子蝕刻機等進口知名品牌的指定代理商.

 

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