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Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-J 用於陶瓷板 Pt、Au、Cr 薄膜刻蝕

深圳某電子公司採用Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-J 對陶瓷板的 Pt、Au、Cr 薄膜刻蝕, 高端印製電路板生產為主

 

Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-J 技術參數

Φ4 inch X 12片	基片尺寸	Φ4 inch X 12片 Φ5 inch X 10片 Φ6 inch X 8片
	均勻性	±5%
	矽片刻蝕率	20 nm/min
	樣品台	直接冷卻,水冷
	離子源	Φ20cm 考夫曼離子源

  

 

Hakuto 離子刻蝕機 20IBE-J 的核心構件離子源採用的是伯東公司代理美國 考夫曼博士創立的 KRI考夫曼公司的射頻離子源 RFICP220

伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 220 技術參數:

離子源型號	RFICP 220
Discharge	RFICP 射頻
離子束流	>800 mA
離子動能	100-1200 V
柵極直徑	20 cm Φ
離子束	聚焦, 平行, 散射
流量	10-40 sccm
通氣	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力	< 0.5m Torr
中和器	LFN 2000

 

推薦  Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-J  理由:

1. 客戶要求規模化生產,  Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-J 適合大規模量產使用

2. 刻蝕均勻性 ±5%, 滿足客戶要求

3. 工作臺冷卻方式: 直接水冷

4. 樣品裝載數: 18片/批（2″）或4片/批（4″）

 

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上海伯東 : 羅先生                               臺灣伯東 : 王小姐
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