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KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 濺射沉積紅外器件介質膜
某紅外半導體鍍膜工業廠商採用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 輔助濺射沉積紅外器件介質膜, 以提高鍍膜厚度的均勻性.
伯東 KRI 射頻離子源 RFICP220 技術參數:
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離子源型號 |
RFICP220 |
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Discharge |
RFICP 射頻 |
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離子束流 |
>800 mA |
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離子動能 |
100-1200 V |
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柵極直徑 |
20 cm Φ |
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離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
10-40 sccm |
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通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型壓力 |
< 0.5m Torr |
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長度 |
30 cm |
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直徑 |
41 cm |
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中和器 |
LFN 2000 |
* 可選: 燈絲中和器; 可變長度的增量
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提高鍍膜均勻性的重要性：
以碲鎘汞半導體材料為代表的紅外探測器器件工藝中, 幾乎都要進行表面鈍化和金屬膜電極成型工藝, 在紅外焦平面和讀出電路的互連工藝中, 金屬膜的厚度均勻性對於互連工藝的可靠性起著至關重要的作用. 在背照式紅外探測器的紅光收面, 往往都要塗鍍一層或數層介質膜, 以起到對器件進行保護和對紅外輻射減反射的作用, 介質膜的厚度均勻性同樣會影響探測器的濾光和接收頻寬.
為了提高均勻性, 客戶同時採用基片離心旋轉法, 樣品台轉速為 15 r/min.
KRI 離子源的獨特功能實現了更好的性能, 增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術的情況下是無法實現的.
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