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KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP220 用於濺射沉積矽片金屬薄膜
某微電子製造商採用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 濺射沉積矽片金屬薄膜.
伯東 KRI 射頻離子源 RFICP220 技術參數:
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離子源型號 |
RFICP220 |
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Discharge |
RFICP 射頻 |
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離子束流 |
>800 mA |
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離子動能 |
100-1200 V |
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柵極直徑 |
20 cm Φ |
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離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
10-40 sccm |
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通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型壓力 |
< 0.5m Torr |
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長度 |
30 cm |
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直徑 |
41 cm |
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中和器 |
LFN 2000 |
* 可選: 燈絲中和器; 可變長度的增量
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磁控濺射法製備鋁膜是微電子工藝製備金屬薄膜最常用的工藝之一, 然而在使用磁控濺射設備製備鋁膜時, 往往會發現調用同一個工藝菜單, 製備出的鋁膜厚度會有所不同, 最大相差接近40%. 這對於製備高精度膜厚的鋁膜具有嚴重的影響.
KRI 離子源的獨特功能實現了更好的性能, 增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術的情況下是無法實現的.
KRI 離子源是領域公認的領導者, 已獲得許多專利. KRI 離子源已應用于許多已成為行業標準的過程中.
因此, 為了提高矽片金屬薄膜的均勻性，該製造才採用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 輔助濺射沉積工藝.
伯東是德國 Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質譜儀, 真空計, 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國HVA 真空閥門, 美國 inTEST 高低溫衝擊測試機, 美國 Ambrell 感應加熱設備和日本 NS 離子蝕刻機等進口知名品牌的指定代理商.
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