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Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-C 用於蝕刻 FSD 車載 AI 晶片

 

某 AI 晶片公司研發部採用伯東 20IBE-C 用於蝕刻 FSD 車載 AI 晶片, 去除製造過程中產生的污染物, 提高 AI 晶片的表面均勻度.

 

Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-C 技術參數如下:

离子蚀刻机

Ф4 inch X 6片

基板尺寸

< Ф3 inch X 8片
< Ф4 inch X 6片
< Ф8 inch X 1片

樣品台

樣品台可選直接冷卻 / 間接冷卻, 0-90度旋轉

離子源

20cm 考夫曼離子源

均勻性

±5% for 8”Ф

矽片蝕刻率

20 nm/min

溫度

<100

 

Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-C 產品圖如上圖, 其主要構件包括 Pfeiffer 分子泵, KRI 考夫曼離子源, 觸控式螢幕控制台, 真空腔體, 樣品台. 如下圖:

 

Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-C 的核心構件離子源採用的是伯東公司代理美國 考夫曼博士創立的 KRI考夫曼公司的射頻離子源 RFICP220.

 

伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 220 技術參數:

離子源型號

RFICP 220

Discharge

RFICP 射頻

離子束流

>800 mA

離子動能

100-1200 V

柵極直徑

20 cm Φ

離子束

聚焦

流量

10-40 sccm

通氣

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型壓力

< 0.5m Torr

長度

30 cm

直徑

41 cm

中和器

LFN 2000

* 可選: 燈絲中和器; 可變長度的增量

 

Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-C 的樣品台可以 0-90 度旋轉, 實現晶圓反應面均勻地接受離子的轟擊, 進而實現提高晶圓的加工品質.

 

Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-C 配套的是伯東 Pfeiffer 渦輪分子泵 Hipace 700.

 

伯東 Pfeiffer  渦輪分子泵 Hipace 700 技術參數:

2707-Operating voltage: V DC

48 (± 5 %) V DC

Ar 的壓縮比

> 1 · 1011

Ar 的抽速

665 l/s

Ar 的最終轉速時的氣體流量

3.5 hPa l/s | 2.62 Torr l/s | 3.5 mbar l/s

H2 的壓縮比

4 · 105

H2 的抽速

555 l/s

H2 的最終轉速時的氣體流量

> 14 hPa l/s | > 10.5 Torr l/s | > 14 mbar l/s

He 的壓縮比

3 · 107

He 的抽速

655 l/s

He 的最終轉速時的氣體流量

10 hPa l/s | 7.5 Torr l/s | 10 mbar l/s

I/O 介面

RS-485, 遠程, Profibus

N2 的壓縮比

> 1 · 1011

N2 的抽速

685 l/s

N2 的最大預真空

11 百帕

N2 的最終轉速時的氣體流量

6.5 hPa l/s | 4.88 Torr l/s | 6.5 mbar l/s

不帶氣鎮的最終壓力

1 · 10-7 百帕

允許冷卻水的溫度

15 – 35 °C 攝氏度

冷卻水消耗最小值

100 l/h

冷卻水耗量

100 l/h

冷卻類型,可選項

空氣

冷卻類型,標準

聲壓水準

≤50 dB(A) 分貝 (A)

安裝方向

任何

排氣連接

G 1/8"

介面,擴展

Profibus

方位

混合動力

最大允許磁場

6 mT

根據 PNEUROP 的最終壓力

< 1 · 10-7 百帕

電子驅動單元

帶有 TC 400

電流最大值

8,75 A

耗電量 max.

420 瓦

轉速 ± 2 %

49,200 rpm | 49,200 min-1

轉速可變化

60 – 100 %

執行時間

2 分

連接法蘭(入口)

DN 160 ISO-F

連接法蘭(出口)

DN 25 ISO-KF/G ¼"

重量

12.1 千克

防護等級

IP54

 

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