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Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-C 用於蝕刻 FSD 車載 AI 晶片
某 AI 晶片公司研發部採用伯東 20IBE-C 用於蝕刻 FSD 車載 AI 晶片, 去除製造過程中產生的污染物, 提高 AI 晶片的表面均勻度.
Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-C 技術參數如下:
Ф4 inch X 6片 |
基板尺寸 |
< Ф3 inch X 8片 |
樣品台 |
樣品台可選直接冷卻 / 間接冷卻, 0-90度旋轉 |
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離子源 |
20cm 考夫曼離子源 |
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均勻性 |
±5% for 8”Ф |
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矽片蝕刻率 |
20 nm/min |
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溫度 |
<100 |
Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-C 產品圖如上圖, 其主要構件包括 Pfeiffer 分子泵, KRI 考夫曼離子源, 觸控式螢幕控制台, 真空腔體, 樣品台. 如下圖:
Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-C 的核心構件離子源採用的是伯東公司代理美國 考夫曼博士創立的 KRI考夫曼公司的射頻離子源 RFICP220.
伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 220 技術參數:
離子源型號 |
RFICP 220 |
Discharge |
RFICP 射頻 |
離子束流 |
>800 mA |
離子動能 |
100-1200 V |
柵極直徑 |
20 cm Φ |
離子束 |
聚焦 |
流量 |
10-40 sccm |
通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型壓力 |
< 0.5m Torr |
長度 |
30 cm |
直徑 |
41 cm |
中和器 |
LFN 2000 |
* 可選: 燈絲中和器; 可變長度的增量
Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-C 的樣品台可以 0-90 度旋轉, 實現晶圓反應面均勻地接受離子的轟擊, 進而實現提高晶圓的加工品質.
Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-C 配套的是伯東 Pfeiffer 渦輪分子泵 Hipace 700.
伯東 Pfeiffer 渦輪分子泵 Hipace 700 技術參數:
2707-Operating voltage: V DC |
48 (± 5 %) V DC |
Ar 的壓縮比 |
> 1 · 1011 |
Ar 的抽速 |
665 l/s |
Ar 的最終轉速時的氣體流量 |
3.5 hPa l/s | 2.62 Torr l/s | 3.5 mbar l/s |
H2 的壓縮比 |
4 · 105 |
H2 的抽速 |
555 l/s |
H2 的最終轉速時的氣體流量 |
> 14 hPa l/s | > 10.5 Torr l/s | > 14 mbar l/s |
He 的壓縮比 |
3 · 107 |
He 的抽速 |
655 l/s |
He 的最終轉速時的氣體流量 |
10 hPa l/s | 7.5 Torr l/s | 10 mbar l/s |
I/O 介面 |
RS-485, 遠程, Profibus |
N2 的壓縮比 |
> 1 · 1011 |
N2 的抽速 |
685 l/s |
N2 的最大預真空 |
11 百帕 |
N2 的最終轉速時的氣體流量 |
6.5 hPa l/s | 4.88 Torr l/s | 6.5 mbar l/s |
不帶氣鎮的最終壓力 |
1 · 10-7 百帕 |
允許冷卻水的溫度 |
15 – 35 °C 攝氏度 |
冷卻水消耗最小值 |
100 l/h |
冷卻水耗量 |
100 l/h |
冷卻類型,可選項 |
空氣 |
冷卻類型,標準 |
水 |
聲壓水準 |
≤50 dB(A) 分貝 (A) |
安裝方向 |
任何 |
排氣連接 |
G 1/8" |
介面,擴展 |
Profibus |
方位 |
混合動力 |
最大允許磁場 |
6 mT |
根據 PNEUROP 的最終壓力 |
< 1 · 10-7 百帕 |
電子驅動單元 |
帶有 TC 400 |
電流最大值 |
8,75 A |
耗電量 max. |
420 瓦 |
轉速 ± 2 % |
49,200 rpm | 49,200 min-1 |
轉速可變化 |
60 – 100 % |
執行時間 |
2 分 |
連接法蘭(入口) |
DN 160 ISO-F |
連接法蘭(出口) |
DN 25 ISO-KF/G ¼" |
重量 |
12.1 千克 |
防護等級 |
IP54 |
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