市場訊息

Hakuto 全自動離子刻蝕機 MEL3100 用於刻蝕薄膜磁片

 

某薄膜磁片製造採用Hakuto 全自動離子刻蝕機 MEL3100 用於刻蝕薄膜磁片, 為了去除濺射鍍制磁片薄膜的污染物和提高薄膜的均勻性.

Hakuto 全自動離子刻蝕機 MEL 3100 技術參數:

Model

MEL3100

 

Main body

Wafer size

3"~6"

 

Power
Supply

AC200V 3ph 40A

Wafer per batch

1 wafer

 

*two lines

Cassette

No.

25 wafers

 

Cooling
Water

15 (l/min)

Q'ty

1pc.

 

<20℃

Throughput

10 (wafer/hr) *1

 

CDA

0.5 (MPa)

Pressure

Ultimate

8×10-5 (Pa) *2

 

>10 (l/min)

Process

2×10-2 (Pa) *2

 

N2

0.2 (MPa)

Etching

Rate

>10 (nm/min)@SiO2 *3

 

>40 (l/min)

Uniformity

±5%@132mm (6") *3

 

Ar

0.2 (MPa)

Wafer surface temp.

<100℃ *3

 

20 (sccm)

Stage rotating

1~20 (rpm) ±5%

 

He

0.2 (MPa)

Stage tilting

±90°±0.5°

 

20 (sccm)

Dimension
W×D×H (mm)

Main body

1,600×2,175×1,900

 

*need additional utilities
  for Dry pump

Controller

640×610×1,900

 

Chiller

555×515×1,025

 

 

 

Weight (kg)

Main body

1,700

 

 

 

Controller

200

 

 

 

Chiller

100

 

 

 

*1: Estimated process time 5min

 

 

 

*2: No wafer on stege / process chamber

 

 

 

*3: Depending on process

     

 

Hakuto 全自動離子刻蝕機 MEL 3100 產品優勢:

1. 所有流程全自動減少人工作業, 從而保證了產品的無差錯、高穩定性和高品質

2. 盒式房間採用高效微粒篩檢程式

3. 採用高品質的蝕刻考夫曼離子源, 保證良好的均勻性和高蝕刻率

4. 佔用空間小

5. 傳輸系統採用了 SCARA 型機器人

6. 控制單元系統提供操作通過觸控式螢幕/ 10.4英寸, 資料記錄可以顯示在螢幕上

7. 高冷卻效果

8. 良好的重複性和再現性的旋轉和傾斜階段具有良好的可重複性利用脈衝電動機

9. 容易維護這個系統設計重點是容易維護和用戶友好

10. 關鍵部件服務伯東的經銷商是系統中的關鍵部件渦輪泵系統、離子源提供客戶快速回應時間和本機服務能力,減少停機時間的工具

 

該 Hakuto 全自動離子刻蝕機 MEL3100的核心構件離子源是配伯東公司代理美國 考夫曼博士創立的 KRI考夫曼公司的射頻離子源 RFICP 380

伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 380 技術參數:

射頻離子源型號

RFICP 380

Discharge 陽極

射頻 RFICP

離子束流

>1500 mA

離子動能

100-1200 V

柵極直徑

30 cm Φ

離子束

聚焦, 平行, 散射

流量

15-50 sccm

通氣

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型壓力

< 0.5m Torr

長度

39 cm

直徑

59 cm

中和器

LFN 2000

 

運行結果:

1. 有效去除濺射沉積時帶來的污染物

2. 提高了薄膜磁片的均勻度

3. 獲得具有高矯頑力、高剩磁、高穩定性的連續薄膜型的記錄介質

 

若您需要進一步的瞭解詳細產品資訊或討論 , 請參考以下聯絡方式 :

上海伯東 : 羅先生                               臺灣伯東 : 王小姐
T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161
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