伯東 KRI 離子源用於大口徑光學元件 KDP 晶體的濺射與刻蝕

市場訊息

2020-10-21 | 閱讀數 0

伯東 KRI 離子源用於大口徑光學元件 KDP 晶體的濺射與刻蝕

為了滿足鐳射慣性約束核聚變對光學晶體磷酸二氫鉀（KDP）晶體所需的面形精度、表面品質的高要求, 對降低 KDP 晶體表面粗糙度和消除 KDP 晶體表面週期性刀痕, 某廠商採用離子源產生的離子束進行KDP晶體的沉積修正拋光.

該廠商採用雙離子源濺射沉積系統, 其中一個離子源採用伯東 KRI 聚焦射頻離子源 RFICP 380 對靶材進行濺射, 另一個離子源採用伯東 KRI 平行考夫曼離子源 KDC 100 對樣品進行離子刻蝕.

其工作示意圖如下：

用於濺射的 KRI 聚焦型射頻離子源 RFICP 380 技術參數:

射頻離子源型號	RFICP 380
Discharge 陽極	射頻 RFICP
離子束流	>1500 mA
離子動能	100-1200 V
柵極直徑	30 cm Φ
離子束	聚焦
流量	15-50 sccm
通氣	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力	< 0.5m Torr
長度	39 cm
直徑	59 cm
中和器	LFN 2000

推薦理由：

聚焦型濺射離子源一方面可以增加束流密度, 提高濺射率; 另一方面減小離子束的散射面積, 減少散射的離子濺射在靶材以外的地方引起污染

用於刻蝕的 KRI 平行考夫曼離子源 KDC 100 技術參數：

離子源型號	離子源 KDC 100
Discharge	DC 熱離子
離子束流	>400 mA
離子動能	100-1200 V
柵極直徑	12 cm Φ
離子束	平行
流量	2-20 sccm
通氣	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力	< 0.5m Torr
長度	23.5 cm
直徑	19.4 cm
中和器	燈絲

* 可選: 可調角度的支架

推薦理由：

使用 KRI 平行型射頻離子源 RFICP 100 可以準確、靈活地對樣品選定的區域進行刻蝕, 可以使大口徑光學元件 KDP 晶體表面更均勻

運行結果:

1. 濺射沉積的KDP晶體表面的均勻性在5%以內, 刻蝕均勻性在5%以內

2. 離子束刻蝕可以消除KDP晶體表面週期性刀痕

3. KDP晶體表面粗糙度降低到1.5nm,達到了預期目的

伯東是德國 Pfeiffer 真空泵, 測漏儀, 質譜儀, 真空計, 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國 inTEST 高低溫衝擊測試機, 美國 Ambrell 感應加熱設備和日本 NS 離子蝕刻機等進口知名品牌的指定代理商.

若您需要進一步的瞭解詳細資訊或討論, 請參考以下聯絡方式:

上海伯東: 羅先生                               臺灣伯東: 王小姐
T: +86-21-5046-1322                 T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076                   M: +886-939-653-958
ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.tw
www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw

歡迎來到 Hakuto 伯東國際通商

產品搜尋

市場訊息